1. 本选题研究的目的及意义
碳化硅（SiC）作为第三代半导体材料的典型代表，具备宽禁带、高击穿电场、高热导率、高电子饱和漂移速度等优异性能，在高温、高频、高功率电子器件领域具有巨大应用潜力。
3C-SiC作为SiC的多型体之一，具有晶体结构简单、禁带宽度较窄、电子迁移率高等特点，在微电子、光电子、传感器等领域展现出广阔的应用前景。
高质量3C-SiC薄膜的制备是实现其器件应用的关键。
2. 本选题国内外研究状况综述
SiC薄膜的制备方法多种多样，主要包括化学气相沉积（CVD）、分子束外延（MBE）、溅射沉积等。
其中，CVD法因其成本低、易于控制、可大面积制备等优点，成为SiC薄膜制备的主流方法。
近年来，LCVD技术作为一种新兴的CVD方法，以其独特的优势，在SiC薄膜制备领域逐渐受到关注。
3. 本选题研究的主要内容及写作提纲
本选题的主要研究内容包括以下几个方面：
1.利用LCVD技术，在Si(110)衬底上制备3C-SiC薄膜。
2.系统研究LCVD生长参数（如激光功率密度、反应气体比例、生长温度等）对3C-SiC薄膜的晶体结构、表面形貌、光学性质和电学性质的影响。
3.探讨Si(110)衬底对3C-SiC薄膜外延生长的影响机制。
4. 研究的方法与步骤
本研究将采用如下研究方法和步骤：
1.实验设计：根据研究目标，确定实验方案，包括LCVD系统搭建、Si(110)衬底准备、反应气体选择、生长参数优化、薄膜表征等。
2.LCVD系统搭建：搭建LCVD系统，包括激光器、反应腔、气路系统、控制系统等。
选择合适的激光器和反应气体，并对LCVD系统进行调试，确保其稳定运行。
5. 研究的创新点
本研究的创新点主要体现在以下几个方面：
1.首次利用LCVD技术在Si(110)衬底上制备3C-SiC薄膜，探索了一种新的SiC薄膜制备方法。
2.系统研究了LCVD生长参数对Si(110)基3C-SiC薄膜的晶体结构、表面形貌、光学性质和电学性质的影响，为高质量SiC薄膜的制备提供了新的思路。
3.深入探讨了Si(110)衬底对3C-SiC薄膜外延生长的影响机制，为SiC薄膜的异质外延生长提供了理论指导。
6. 计划与进度安排
第一阶段 （2024.12~2024.1）确认选题，了解毕业论文的相关步骤。
第二阶段（2024.1~2024.2）查询阅读相关文献，列出提纲
第三阶段（2024.2~2024.3）查询资料，学习相关论文
7. 参考文献（20个中文5个英文）
[1] 孙宁波, 于永芹, 张兴华, 等. 激光化学气相沉积技术及其应用研究进展[J]. 激光与红外, 2020, 50(02): 131-140.
[2] 乔冠军, 郭志猛, 李贺, 等. 化学气相沉积法制备SiC薄膜研究进展[J]. 功能材料, 2018, 49(11): 11030-11036.
[3] 刘欢, 李景, 王晓慧, 等. 激光化学气相沉积SiC涂层的组织与性能[J]. 表面技术, 2021, 50(05): 175-182 190.
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